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| 规格书 |
 BD249x |
| 文档 |
SOT-93 Bipolar Transistors 03/Apr/2012 |
| 标准包装 | 300 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 25A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 4V @ 5A, 25A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 10 @ 15A, 4V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-218-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-93 |
| 包装材料 | Tube |
| 集电极最大直流电流 | 25 |
| 最小直流电流增益 | 25@1.5A@4V|10@15A@4V|5@25A@4V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 125000 |
| 供应商封装形式 | SOT-93 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 25A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 5A, 25A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 标准包装 | 300 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-93 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 封装/外壳 | TO-218-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 15A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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